硒化铊(I) |
| 时间：2023-07-16 来源：化工号 作者：SeTl2 |
| 密度 | 9.05 |
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| 熔点 | 340ºC |
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| 分子式 | SeTl2 |
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| 分子量 | 487.72700 |
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| 精确质量 | 489.86500 |
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| 外观性状 | pieces |
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| 储存条件 | 常温密闭避光，通风干燥 |
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| 稳定性 | 常温常压下稳定 避免的物料： 氧化物 酸。不溶于水和醋酸，溶于其他酸类。Tl2Se半导体薄膜能用于整流器部件中。硒化铊(Ⅰ)具有四面体的结构，在晶胞中有十个分子(a0＝0.854nm，c0＝1.271nm)。熔融的Tl2Se是半导体。在Tl—Se体系相应于Tl2Se的组成时电导率极小。在该组成处绝对温差电势率能改变它的符号。用电子散射模型可解释这些结果。 |
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| 水溶解性 | Insoluble in water and acids. |
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| 计算化学 | 1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无 2.氢键供体数量:0 3.氢键受体数量:0 4.可旋转化学键数量:0 5.互变异构体数量:无 6.拓扑分子极性表面积0 7.重原子数量:3 8.表面电荷:0 9.复杂度:2.8 10.同位素原子数量:0 11.确定原子立构中心数量:0 12.不确定原子立构中心数量:0 13.确定化学键立构中心数量:0 14.不确定化学键立构中心数量:0 15.共价键单元数量:3 |
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| 更多 | 1.性状：灰色小叶瓣晶体 2.密度（g/mL,25/4℃）：9.05 3.相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定 4.熔点（ºC）：340 5.沸点（ºC,常压）：未确定 6.沸点（ºC,5.2kPa）：未确定 7.折射率：未确定 8.闪点（ºC）：未确定 9.比旋光度（º）：未确定 10.自燃点或引燃温度（ºC）：未确定 11.蒸气压（kPa,25ºC）：未确定 12.饱和蒸气压（kPa,60ºC）：未确定 13.燃烧热（KJ/mol）：未确定 14.临界温度（ºC）：未确定 15.临界压力（KPa）：未确定 16.油水（辛醇/水）分配系数的对数值：未确定 17.爆炸上限（%,V/V）：未确定 18.爆炸下限（%,V/V）：未确定 19.溶解性：未确定 |
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